国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种存储单元及存储器件”的专利，公开号CN121463444A，申请日期为2023年8月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种存储单元及存储器件，包括：衬底；基体凹槽，从衬底的一侧表面向衬底延伸，其中，基体凹槽底部的一部分内壁上设置有栅绝缘层；半浮栅，填充在基体凹槽的底部，其中，半浮栅的一部分藉由栅绝缘层和衬底隔离，半浮栅的另一部分与衬底接触；栅间介质层，覆盖在半浮栅上；控制栅，在所述基体凹槽中设置在栅间介质层上，控制栅高度不高于基体凹槽的高度，即本申请能有效提升存储器件的控制栅极和半浮栅的耦合，解决埋栅电阻大而带来的压降问题。

　　天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线条，此外企业还拥有行政许可106个。

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